第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

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以氮化镓(gan)和碳化硅(sic)为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和率和强抗辐射等优异性能，更适合制造高温、高频、抗辐射和大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。

科技部网站显示，“十二五”期间，“863计划”重点支持第三代半导体器件制备与评估技术项目。最近，科技部高技术司在北京组织了一次项目验收会议。本项目重点研究第三代半导体技术中的关键材料、关键器件和关键工艺，开发基于新型基板的第三代半导体器件封装技术，满足高性能封装和低成本消费级封装的需求，开发基于发光器件的高带宽gan发光器件和可见光通信技术，实现智能家居示范系统的试生产；开展第三代半导体封装和系统的可靠性研究，形成相关标准或技术规范；制备高性能sic基gan器件。通过该项目的实施，中国在sic和gan材料、功率器件、高性能封装和可见光通信等领域取得了突破。自主研发相关材料和器件的关键技术，支持中国节能减排、现代信息工程和现代国防建设的重大需求。